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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[278]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4319 |
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338 |
ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할
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337 |
챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다.
[3] | 4535 |
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336 |
Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다.
[1] | 4847 |
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335 |
매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~
[1] | 5102 |
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334 |
CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.
[1]  | 5105 |
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333 |
RF power에 대한 설명 요청드립니다.
[1] | 5188 |
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332 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5377 |
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331 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5478 |
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330 |
ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다.
[1] | 5581 |
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329 |
RF Vpp 관련하여 문의드립니다.
[1] | 5690 |
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328 |
RF calibration에 대해 질문드립니다.
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327 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 5925 |
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안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다.
[3] | 5933 |
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325 |
OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다.
[1] | 5936 |
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코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다.
[1] | 6049 |
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모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
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자료 요청드립니다.
[1] | 6209 |
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321 |
O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다.
[2] | 6260 |
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320 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
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