반도체 공정과 관련하여 DIFF 공정 진행 간, TEMP와 RF 간에 상관 관계가 궁금하여 문의 드립니다.

NH3의 분해와 관련하여 상온 기준 RF POWER를 인가한다고 했을때 분해 가능한 수준이 어느 정도인지 궁금합니다.(W 기준)

그리고 추가로 문의 드리고 싶은 사항은 TEMP와 RF 간에 상관 관계입니다. TEMP가 변화하는 정도에 따른 RF의 변화 정도가 어떻게 되는지 궁금해서 문의 드립니다.

정답이 힘들다면 참고 및 이해할 수 있는 답변을 좀 부탁 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76764
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20222
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57173
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68713
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92341
310 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1522
309 plasma 형성 관계 [1] 1522
308 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1519
307 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1508
306 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1503
305 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1493
304 charge effect에 대해 [2] 1465
303 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1464
302 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1463
301 알고싶습니다 [1] 1461
300 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1460
299 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1460
298 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1457
297 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1455
296 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1451
295 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1448
294 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1442
293 ICP lower power 와 RF bias [1] 1441
292 Ar plasma power/time [1] 1437
291 MATCHER 발열 문제 [3] 1430

Boards


XE Login