안녕하세요? 식각에 관해 공부하고 있는 대학원생입니다.

 

요즘 plasma etching 에 관한 리뷰를 보는 중 식각 시 나타나는 etch profile의 distortion에 관해서 써놓은 내용을 보았습니다.

특히, Si 공정 중 micro-trench 현상이 일어나고, 그대로 소자가 만들어 졌을 때에 소자 상에서 어떤 문제가 일어나는지 궁금합니다. 

리뷰에 달린 참고문헌을 봐도 distortion에 대한 메커니즘만 설명되어 있고, 실제 소자상에서는 어떤 문제가 있는지 다뤄지지가 않아 너무 궁금합니다...

혹시 이에 대한 문헌이나, 참고할만한 자료가 있으면 답변 부탁드리겠습니다.

감사합니다.

 

참고한 문헌 : Donnelly, V. M., & Kornblit, A. (2013). Plasma etching: Yesterday, today, and tomorrow. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films31(5), 050825.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24676
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61390
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73459
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105793
36 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2064
35 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2274
» 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2529
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2600
32 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2694
31 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2734
30 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2778
29 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2802
28 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2902
27 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2927
26 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3096
25 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3143
24 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3203
23 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3213
22 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3588
21 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3731
20 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3830
19 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4241
18 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4380
17 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4901

Boards


XE Login