질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:85171 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5876
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17332
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53153
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64559
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85171
78 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22365
77 pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] 22387
76 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22432
75 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22449
74 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [1] 22452
73 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 22654
72 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 22749
71 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22759
70 고온플라즈마와 저온플라즈마 22769
69 No. of antenna coil turns for ICP 22825
68 DC glow discharge 22911
67 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23053
66 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23058
65 plasma와 arc의 차이는? 23105
64 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23107
63 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23130
62 Arcing 23176
61 self Bias voltage 23184
60 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23339
59 플라즈마 쉬스 23560

Boards


XE Login