질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:84227 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5606
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16895
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51349
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64213
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84227
92 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1614
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1803
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1830
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1882
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1958
87 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2123
86 Plasma etcher particle 원인 [1] 2148
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2391
84 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2443
83 PR wafer seasoning [1] 2445
82 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2479
81 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2664
80 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2673
79 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2683
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2889
77 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2905
76 플라즈마 색 관찰 [1] 3085
75 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3095
74 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3198
73 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3512

Boards


XE Login