질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
2010.11.25 15:38
플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.
댓글 3
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76768 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20224 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57174 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68717 |
| » | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92355 |
| 82 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2021 |
| 81 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1986 |
| 80 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 1986 |
| 79 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1948 |
| 78 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1871 |
| 77 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1869 |
| 76 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1797 |
| 75 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1763 |
| 74 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1735 |
| 73 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1662 |
| 72 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1503 |
| 71 | Ar plasma power/time [1] | 1437 |
| 70 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1428 |
| 69 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
 | 1411 |
| 68 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1389 |
| 67 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1387 |
| 66 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1378 |
| 65 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1313 |
| 64 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1298 |
| 63 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1245 |