Deposition magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화]

2018.12.19 21:30

홍석모 조회 수:730

안녕하세요. 저는 유니스트에 재학중인 대학원생입니다.

 

이전에도 ICP CVD에 대해서 질문을 올렸었는데 그때 답변을 보고 문제점이 무엇인지 알수 있었습니다. 너무나 감사합니다.

 

그래서 이번에도 질문이 생겨 다시한번 찾아오게 되었습니다.

 

이번에 궁금한 점은 ICP CVD의 sample stage나 substrate에 magnetic property가 존재할 경우 plasma의 거동이 변하는지 변한다면 어떤식으로 변하게 될지 궁금하여 질문을 드립니다.

 

제가 찾아본 자료들을 보면 sample stage에 bias를 걸어서 deposition rate을 조절할수 있다는 자료들을 찾아 봤었습니다.

 

 그러다 문득 생각난게 magnetic field도 유사한 결과를 보여줄것 같은데 이렇게 생각해도 되는지 궁금합니다.

 

혹시 관련된 서적이나 논문 자료등 추천해주실 만한 자료가 있으시면 염치 불구하고 부탁드리겠습니다.

 

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103354
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24717
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61537
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73521
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105954
34 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 816
33 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [핵융합 연구소] [1] 796
32 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 778
» magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 730
30 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 729
29 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [Pd condition과 PDP] [1] 679
28 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 647
27 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 640
26 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 636
25 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 632
24 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 616
23 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 615
22 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 610
21 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 607
20 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 605
19 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 596
18 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 591
17 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [플라즈마 확산] [1] 590
16 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 589
15 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 564
쓰기
태그

Boards

XE Login