안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [234] 75740
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19424
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56651
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67975
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90169
597 RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] 814
596 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 815
595 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 829
594 문의 드립니다. [1] 830
593 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 835
592 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 837
591 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 844
590 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 850
589 anode sheath 질문드립니다. [1] 860
588 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 869
587 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 869
586 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 871
585 Plasma Generator 관련해서요. [1] 886
584 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 888
583 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 901
582 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 904
581 Plasma Arching [1] 908
580 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 911
579 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 913
578 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 914

Boards


XE Login