질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:105778 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102677
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24671
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61382
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73453
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105778
72 CCP/ICP , E/H mode 23587
71 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23623
70 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24185
69 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24194
68 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24205
67 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24244
66 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24401
65 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24429
64 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24493
63 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24660
62 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24877
61 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24928
60 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24995
59 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리] [1] 25027
58 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 25148
57 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 25183
56 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model] [1] 25230
55 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25273
54 Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown] [1] 25346
쓰기
태그

Boards

XE Login