질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:98089 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [320] 85725
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22613
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59307
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71048
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98089
68 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24082
67 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24130
66 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24143
65 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24179
64 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24301
63 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24352
62 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24617
61 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24699
60 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24801
59 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24865
58 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리] [1] 24899
57 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 24928
56 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model] [1] 24948
55 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 25043
54 Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown] [1] 25143
53 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25149
52 plasma와 arc의 차이는? [Arc의 temperature] 25372
51 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25664
50 충돌단면적에 관하여 [2] 26455
49 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [ESC와 capacity] [3] 26602
쓰기
태그

Boards

XE Login