질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92576 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76817
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20246
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57187
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92576
335 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5023
334 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5083
333 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5173
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5306
331 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5468
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5561
329 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5681
328 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5820
327 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5888
326 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5924
325 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5933
324 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6028
323 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6078
322 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6203
321 자료 요청드립니다. [1] 6209
320 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6264
319 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6282
318 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6368
317 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문드립니다! [1] 6410
316 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6419

Boards


XE Login