Etch Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
2017.05.15 22:58
안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.
Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데
이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.
민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나
ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.
Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.
이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76791 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20229 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68722 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92430 |
791 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. | 15 |
790 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 34 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 46 |
788 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 56 |
787 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 63 |
786 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 66 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 67 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 75 |
783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 81 |
782 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 95 |
781 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 97 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 108 |
779 | Microwave & RF Plasma [1] | 124 |
778 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 126 |
777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 126 |
776 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 134 |
775 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 138 |
774 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 147 |
773 | skin depth에 대한 이해 [1] | 150 |
772 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 150 |