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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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348 |
방전에서의 재질 질문입니다.
[1] | 3504 |
347 |
HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다.
[1] | 3537 |
346 |
DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문
[2] | 3538 |
345 |
ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다
[2] | 3579 |
344 |
RPSC 관련 질문입니다.
[2] | 3680 |
343 |
RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성
[1] | 3681 |
342 |
챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다.
[2] | 3765 |
341 |
플라즈마 색 관찰
[1] | 3827 |
340 |
Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3857 |
339 |
SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문
[1] | 3898 |
338 |
the lines of magnetic induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문
[1] | 3972 |
337 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 3980 |
336 |
ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할
| 4131 |
335 |
Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다.
[1] | 4467 |
334 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 4613 |
333 |
매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~
[1] | 4825 |
332 |
RF power에 대한 설명 요청드립니다.
[1] | 4861 |
331 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 5097 |
330 |
ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다.
[1] | 5214 |
329 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5232 |
저온 플라즈마의 단점이라고 하셨는데 저온 플라즈마를 어디에 활용할 때의 단점이라는 뜻인지,
또 저온이라는 것이 무엇 대비 얼마나 온도가 낮은 플라즈마를 뜻하는 것인지 명확한 질문 부탁합니다.