안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76402
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19990
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57066
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68538
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91336
90 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1185
89 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1183
88 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1136
87 Group Delay 문의드립니다. [1] 1128
86 자기 거울에 관하여 1125
85 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1105
84 wafer bias [1] 1101
83 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1077
82 전자 온도 구하기 [1] file 1070
81 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1032
80 플라즈마 코팅 [1] 1026
» 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1025
78 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1023
77 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1020
76 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1012
75 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 986
74 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 976
73 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 949
72 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 945
71 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 940

Boards


XE Login