안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.

Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데

이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.

민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나

ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.

Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.

이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.