질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92308 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76749
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57170
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68707
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92308
47 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2874
46 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2751
45 PR wafer seasoning [1] 2704
44 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2637
43 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2455
42 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2329
41 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2324
40 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2265
39 etching에 관한 질문입니다. [1] 2262
38 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2053
37 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2019
36 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1984
35 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1941
34 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1796
33 터보펌프 에러관련 [1] 1762
32 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1410
31 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1376
30 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1311
29 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1245
28 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1183

Boards


XE Login