Others 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드]

2021.06.08 10:34

피했습니다 조회 수:1278

안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [311] 78973
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21184
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58002
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69554
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94244
282 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [Plasma density와 Balance equation] [1] 1318
281 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [PMI] [2] 1314
280 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [Wave guide 설계 및 matcher 설계] [1] 1312
279 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [Collisional sheath 정의] [1] 1303
278 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1291
277 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1290
276 전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과] [1] file 1286
» 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드] [1] 1278
274 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1275
273 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속] [1] 1270
272 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1261
271 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [DBD] [1] 1251
270 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1250
269 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1245
268 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1239
267 wafer bias [Self bias] [1] 1234
266 공정플라즈마 [플라즈마 입자 거동 및 유체 방정식] [1] 1230
265 RF 반사파와 이물과의 관계 [Physical/chemical cleaning] [1] 1229
264 대학원 진학 질문 있습니다. [전공 설계] [2] 1229
263 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion] [1] 1222
쓰기
태그

Boards

XE Login